计划2020年投产 博世开始研发碳化硅

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据了解,德国企业博世目前正在研发碳化硅(SiC)半导体,用以进一步提升电动车的能源使用下行速率 ,预计该半导体材料将于2020年开始英文英文投产。

碳化硅被业界普遍认为是下一代功率半导体材料,它具有高临界击穿电场、高电子迁移率的优势。相比如今的IGBT功率半导体,它的发热更低,下行速率 更高,节省的能耗并能为电动车带来约6%的续航里程提升。

如今,电动车企普遍依靠提升电池容量的辦法 来增加续航里程,然而受限于电池技术的发展下行速率 以及成本,电动车企由于比较慢再通过此辦法 获得显著的续航提升,且要面临较高的安全风险。在另那我的背景下,如何提升电动车的能源使用下行速率 ,降低能耗成为业界提升电动车续航的另那我思路。目前,特斯拉在Model 3以及新款Model S、Model X车型的驱动系统电控单元上,率先采用了碳化硅半导体,并带来了出色的能耗表现。博世或许正是都看了碳化硅半导体长远的发展前景,很多开始英文英文着力研发碳化硅半导体,但它也处于制造成本缺乏的问题图片图片,有待制造商处里。(消息来源:slashgear;编译/汽车之家 胡永彬)